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(黑色字體為源自EETimes 報導, 藍色字體為morrisblog個人見解, 個人見解有誤歡迎更正)

EETimes : 集邦：DRAM跌10% NAND現貨價反彈上揚 (以下黑色字體為源自EETimes 報導, 公益引用, 尊重著作權)
http://www.eettaiwan.com/ART_8800455478_628626_9f1d4e76200703.HTM

集邦科技(DRAMeXchange)針對記憶體市場發表最新報告指出，上週為中國農曆年假期後第一週，年假後的補貨以DDR為主，DDR2的需求較弱。雖然成交量並不大，但DDR 256Mb eTT之價格仍微幅上漲2.3%至1.79美元，DDR 512Mb 400MHz則上漲3.2% 至3.86美元。

相較於DDR的漲勢，DDR2除了512Mb eTT維持農曆年前的漲勢，來到了3.43美元，512Mb 533MHz與667MHz皆下跌超過6%，跌落至3.91美元與4.03美元。

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市場需求以DDR 為主, DDR2 自07年開始反倒下跌30%, 這表示先前06年高漲的DDR2市場, 因為Vista 商用版與家用版滲透率皆不如業者原先的預期, 憂心DDR2跌價損失, 反手殺出手中庫存, 造成市場上過多的現貨供應進一步壓低DDR2現貨價格. 這訊息有點不妙, 由DRAM 市場的價格訊息透露出Vista買氣不如預期樂觀, 這將連帶影響依賴Vista產業鏈的其他供應商未來一季的業績

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集邦科技表示，三月上旬DRAM合約價持續下跌，繼二月份DDR2 512MB 667MHz模組價格跌破40美元之後，三月上旬則跌破了35美元。分析師指出，若以34美元來計算，換算成DDR2 512Mb 667MHz顆粒價格大約在3.87美元，使得合約價格之顆粒價格已較現貨市場的品牌顆粒價格為低。

自2007年1月至3月，目前這一波合約價的跌幅將近30%。然而原本預估在今年的3月以後會開始下跌，在現貨市場提早反應，使得在2月上旬就出現了快速向下修正的現象，連續一個多月的下跌，使得在3月上旬合約價呈現出較現貨價為低之價格，也顯示OEM端之需求低於預期。

以DRAM廠之成本來看，集邦表示，目前DDR2 667 512MB UDIMM Module之成本約為25至32美元，合約價格若持續下跌，則對於成本結構偏高的DRAM廠商而言，在今年第一季、第二季將會出現2005年以來再次見到的虧損現象。而DRAM廠也從去年第三季、第四季DRAM產品價格狂漲而致的高毛利，迅速跌至可能損失或低毛利的狀況。

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1. 合約價低於現貨價 : 這叫DRAM 市場的 "死亡交叉",

2. DRAM模組業者是製造業, 還是期貨經營業 ?
        DDR2 512MB 667MHz模組價格34美元, 換算成DDR2 512Mb 667MHz顆粒價格大約在3.87美元
        DRAM模組需要8顆DRAM = 3.87 * 8 = 30.96 美元
        DRAM模組BOM價格扣除DRAM 顆粒成本 (模組業的利潤與成本) = 34 - 30.96 = 3.04美元 / 片
        模組業的利潤與成本佔模組價格比例 = 3.04 / 34 = 8.94%

也就是說模組業的實際製造利潤在模組價格中的比例應低於8.94%
若假設製造利潤率模型設在25%, 那此模型中實際模組業的製造利潤在DRAM模組價格中的比例則為 = 8.94% * 25% = 2.234%

2.234%的實際模組業的製造利潤率, 與DRAM模組業者的財務報表中營業毛利率4~12%相比, 顯然不成比例, 研判DRAM模組業者利潤的來源, 以賺取DRAM期貨現貨價差的部分, 應數倍於模組製造加工的部分. 這另外衍生出一個問題, 模組業者購買無論購買DRAM期貨現貨, 很少以現金支付, 多半是以信用交易居多, 而信用額度大小端視模組業者的資產品質, 規模, 信用狀態, 市佔率與財務報表現金流量比例 ; 營運體質越健全, 市佔越高的業者, 能夠取得的信用額度越大, 相對能夠賺取DRAM期貨現貨價差的程度越高, 因此當DRAM價格走俏, 能賣出高利潤率的模組或現貨越多, 對於營收盈餘貢獻度也越高.

3. 若合約價持續走跌, 對於成本結構偏高的DRAM製造商而言，有可能在今年Q1 或 Q2將會重新出現虧損.

4. 投資決策應基於大量的分析與研究, 不應理會經營者為股價叫屈的言論, 以免讓資金暴露在無謂的風險當中

2007/1/22 Chinatimes :獲利大好股價不漲黃崇仁﹕投資界要對DRAM產業改變觀點
http://tw.stock.yahoo.com/news_content/url/d/a/070122/2/a4pa.html
力晶董事長在法說會上也不免要替股價抱屈，他說投資人對DRAM產業必須改變看法
( morrisblog註 : 改變什麼看法? 大宗商品價格走跌, 直接衝擊的就是製造商的股票價格, 這樣的觀念需要做什麼改變? )

2007/2/23 EETimes : DRAM市場出現崩盤現象？
http://www.eettaiwan.com/ART_8800453923_480202_158b8921200702.HTM
台灣記憶體供應商力晶半導體(Powerchip)總經理謝再居(Brian Shieh)表示，2007年全年預計DRAM價格下跌31.3%，但1月迄今ASP的下跌幅度已經達到這個預期水準。低迷的需求和季節性因素引發DRAM市場崩盤，也促使供應商以令人擔憂的速度降價。

( morrisblog註 : 2/23日才說, 那1/22法說會時黃董怎麼不提DXI 已經跌破頸線? )

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在NAND Flash部分，上週現貨市場價格呈現反彈上揚的局勢，尤其是高容量8Gb和16Gb的價格有單日漲幅超過8%的紀錄。集邦表示，NAND Flash的價格自去年12月初就因終端需求持續疲軟而一直往下調整，到2月中旬之前整個NAND Flash市場價格已經往下調整約50％，讓許多市場人士憂心今年的NAND Flash產業發展。而農曆年後的這波價格反彈，讓業界人士可以開始用樂觀的心態來面對未來數月的市場需求。

根據集邦觀察，這次NAND Flash現貨價格能夠反彈向上，主要是由幾個因素同時交互影響產生的：主要因NAND Flash上游供應商的產能調降，其次因Apple為六月上市的iPhone開始向上游供應商提出備料要求，以及農曆新年的九天假期使下游眾多業者的庫存水位見底。

NAND Flash上游供應商為因應去年下半年終端市場需求疲軟與價格持續下滑的現象，從去年第四季開始將部分Fab廠的產能移往生產DRAM，因此從去年12月開始NAND Flash顆粒可供應到下游業者手中的數量有明顯縮減的跡象出現。

Apple最新產品iPhone預計今年六月在北美市場上市，據聞Apple已經向上游供應商發出備料通知。iPhone搭載4GB和8GB兩種高容量的規格，讓多數市場人士樂觀看待iPhone上市後對NAND Flash市場所產生的影響。

此外今年中國農曆新年的9天假期，使許多下游生產記憶卡和隨身碟廠商在新年前所備的庫存水位見底。長假結束，下游廠商開始向上游供應商拿貨，但部份高容量的NAND Flash顆粒目前正處於缺貨的狀態，使得8Gb和16Gb的市場價格立刻反彈向上。在目前NAND Flash高容量顆粒的供應量仍處於不足的狀況下，集邦預期市場價格短期內應會持續上漲。

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DRAM 看 Vista, NAND Flash 看 i-Phone :
Apple為六月上市的iPhone開始向上游供應商提出備料要求, 以及DRAM 製造商將Flash產能移轉至DRAM, 導致NAND Flash顆粒供應量降低. 由NAND Flash價格的後續走勢可以觀察iPhone 的後續的發展, 以及iPhone 供應鏈相關供應商的業績趨勢.

初期提供 iPhone NAND Flash 的供應商應不超過2家 :
初期而言, 以六百萬台iPhone 的預估量, 每台容量以8GB:16GB 比例4:2 為模型, 預估NAND Flash 初期需求為 3.2千萬顆8Gb, 以12" 晶圓6000顆/片為預估模型, 約當不超過6000片 12" 晶圓. (最差模型 3000顆/片, 也只換算出1.2萬片12 "晶圓), 以此模型推估 iPhone NAND Flash 需求規模能容納的供應商應該不超過2家, 因此不是每家都有夢可做. 反倒是由NAND Flash價格的後續走勢, 可以當作iPhone 供應鏈相關供應商的先期趨勢指標. 一段時間後真正當Vista, iPhone 兩者滲透率都升高時, DRAM 業者才會真的感受到蠟燭兩頭燒的喜悅, 相信這個時間點應該不是現在.