總幹事耕讀筆記- 日本 ありがとうございました

陰雨綿延，但曙光乍現
由於DDRII 512Mb eTT 今年價格 就收在0.89 USD，在所有市場參與者都無法獲利的情況下，除Qimonda(市佔率12.9% )因歐元匯率的外在因素減產之外，其餘市場參與者並無實際減產計畫 ，除了Samsung與Hynix可以不斷在NAND與DRAM之間進行產能相互調配，市場價格最重要的影響者可能是Hynix的持續擴張，亟欲奪下掌握在Samsung手中多年的一哥寶座；以Q307資料 來看，Hynix只差2.2%就可以超越Samsung，以Hynix固有不顧同業的強悍風格，殺價擴產樣樣第一，很難讓人相信Hynix在DRAM的囚犯困境 中會做出利他的決策。因此短時間之內Samsung與Hynix這兩家合計市佔率達48.8%的競爭對手，在沒有非經濟因素的外力介入下，達成減產共識的可能性不是很高。當然，要靠聯合減產來拉抬DDRII 512Mb eTT 的短線價格，機率應是不大。至於中長線，至少08年各家推出DRAM資本支出削減計畫 以降低現金流出情況，這是一個好的開始，雖無法拉抬DRAM價格，但是至少避免讓供需失衡更加惡化。 

內部因素失效，要靠外部刺激
價格的低迷在於供需失衡，供需任一方的因素變動，就能改變失衡狀況。

先檢視未來可能的需求變動因素。DDRII DRAM的最大應用還是在於DT與NB市場，DT在08年成長率是較07年略微衰退，而NB則有25.2%YoY 成長性，預期08年銷售將達1.1億台。而NB主流機種DRAM搭載容量將由07年的1GB，擴充到08年的2~4GB，預計需求面成長 約在10%~18%。其實這不是一個強而有力，可以扭轉供過於求的正面因素。這幾年來年年喊的換機潮始終沒有出現，一方面是因為企業IT支出並無明顯的成長，更重要的是目前multi core CPU的功能已能滿足大多數使用者的需求，也能承擔微軟不斷推出的資源怪獸，因此往年的集體換機潮或許早已不存在，使用者唯有到產品的壽命終期才願意換機。而遊戲機每年的市場銷量不過是DT加上NB的零頭，它應該承擔不起振衰起敝的角色。 

如果需求面的成長無法改善供需失衡，為何DRAM市場參與者還要持續生產與擴張投資？

原因在於NAND Flash 。

打通DRAM 的任督二脈
關鍵在USB3.0的普及時間，與NAND的跌價速度 

NAND Flash 無法代替DRAM的角色，但是NAND的需求會排擠DRAM的產能，有可能進而扭轉DRAM供過於求的情況。當然NAND記憶卡的容量不大，手持式裝置市場加起來的需求尚不足以改變NAND與DRAM的產能平衡現況。但是有可能在1H08因為USB3.0規格的推出，進而改變這個平衡。當初Intel 號召 Microsoft、HP、NEC、NXP 和TI制定USB3.0規格與成立ONFI的目的，在於外部資料備份的需求中，因為USB2.0傳輸速率只有400Mbps，往往是效能的瓶頸，它甚至比HDD磁區反應時間，與NAND的讀取時間還慢。USB3.0可以以4.8Gbps 速率傳輸，高於硬碟內部傳輸介面SATA II 的3.0Gbps，一旦USB3.0的控制晶片價格普及，透過USB3.0進行外部資料備份，或是可攜式的隨身資料庫的理想就能逐漸普及，當任(SATA II)督(USB3.0)二脈打通之時，NAND Flash 能夠成的SSD固態硬碟,就成為可攜式硬碟的選擇之ㄧ，進而增加對NAND的消費需求 。 

除了外部資料傳輸的需求之外，未來NB搭載SSD作為硬碟配備的需求將因EeePC的成功示範，逐漸打開SSD的市場，雖然08年EeePC預估銷售500萬台，但是其成就不在於數量，而在於觀念的革命，預期因為SSD低耗電的特性，可以延長NB電池續航力的優點，在燃料電池的開發遲遲無法有效商用化的情況下，隨著NAND持續的跌價 ，與HDD供應商也競相開發SSD 以降低SSD的經濟門檻，以及SDD優異的資料可靠度與抗震能力，有效降低硬碟form-factor體積與重量，預期未來採用SSD的NB將會持續成長。 

當然在目前SSD單位GB成本仍高於HDD7倍~10倍的情況下，預期SSD全面取代HDD的期望是不切實際的，在此之前，Hybrid HDD 將先填補這個鴻溝。也許Hybrid HDD的好處只有開機快速，以及減少磁碟的使用與功耗(因為大部分的硬碟功耗都在虛擬記憶體的swap與驅動程式的讀取)，但是一旦使用者習慣了這些好處，想再回頭使用HDD也難，一直到NAND單位價格到了具有競爭力的程度，使用者將會大量移轉至SSD。Segate 預期 2012年將有12%的硬碟採用SSD。這數字也許不大，但是以NB硬碟容量80GB為基準，2012年NB年產量粗抓2.3億台，SSD的滲透率12%，那NAND的年需求是1777百萬Gb，以Samsung器興廠停電事故 所推估的1H07全球產能約1900百萬Gb，相當於5年SSD對NAND的需求成長44.66%, 換算CAGR 7.6% 。我希望這個模型不會過於樂觀，再加上手持式裝置對於NAND的需求成長，預期整體NAND市場需求的年複合成長率將超過12% 。(STPI 2005 YoY 54%, 2006 YoY60%, IDC 2007 YoY 15%, 08~11 12%) 

圍魏救趙

如果未來五年NAND的CAGR 超過12%的推論合乎邏輯，而DRAM資本支出如預期持續減少(08年-30%)，預期未來08年底到09年因NAND競逐DRAM產能，讓DRAM供過於求的情況可能獲得改善。 

負面因素 
以一年為限，08年要靠NAND的需求來改善DRAM的供需情況，有以下負面因素，會讓上述的推論不成立:

08年經濟循環有可能進入衰退週期，將影響企業IT支出與個人消費意願：

• IMF: 08全球經濟成長率4.8%低於平均值5.0%
• 美國經濟成長率維持1.9%
• 主要工業國家5.2%降至2.2%
• 降低企業IT資本支出NB成長率不如預期(1.1億台)

DRAM 資本支出計畫出現變化：

• 目前08年資本支出預期將較07年減少30%，若主要市場參與者變更其資本支出計畫，有可能引發另一輪的軍備競賽，將不利於DRAM的價格平衡。

1Gb/70nm製程移轉順利：

• 70nm製程移轉順利，將為供給面將增加約20%的產能。

 NAND跌價速度遠高於DRAM

• 若NAND跌價速度遠高於DRAM，反而導致產能移轉的情況反轉，不利於DRAM價格穩定。  

最後，祝大家新年快樂，2008年無論在投資，家庭，心靈，健康與事業上，都有滿意的收穫。
長線分析不適合短線投資人參考，投資請本於個人分析與決策， 風險自負；同時未來股價變化自有其風險，切莫抱持過度期待。

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